2.什么是 LDO
3.什么是ESR
4.什么是TTL
5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS
6.什么是OC、OD
7.什么是线或逻辑和线和逻辑
8.什么是推挽结构
9.什么是MCU、RISC、CISC、DSP
10.什么是FPGA和ASIC
11.FPGA 和 CPLD 的异同点
1.BOM(BillOfMaterial),是制造业管理的重点之一,简单的定义就是“记载产品组成所需使用材料的表”。以一个新产品的诞生来看:首先是创意和可行性研究的初期过程,接下来的过程就是初步的工程技术分析和原型产品的设计,等到原型产品比较稳定后,经过自制或外购分析(MakeorBuyAnalysisandDecision)后就会产生第一版的工程料表(EBOM,EngineeringBOM)。到正式量产之前,第一版的生产料表(PBOM,ProductionBOM)必须要先完成,以便企业内的相关部门有所遵循。在此之后,就进入了正常的例行维护阶段。
2. 什么是 LDO（低压降）稳压器?
LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压和输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器能够有一个很低的压降电压,通常为 200mV 左右;和之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为他的传递设备,其运行模式和正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用 CMOS 功率晶体管,他能够提供最低的压降电压。使用 CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的 ON 电阻造成的。假如负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏。
3.什么是ESR
电容的等效串联电阻,越低的话Q值越小。
4.什么是TTL
Transistor-Transistor Logic晶体管-晶体管逻辑电路 (双极性型电路,指包含电子和空穴两种极性的载流子)
5.什么是MOS、NMOS、PMOS、CMOS
MOS(Metal-OxideSemiconductor 金属-氧化物半导体场效应管,单极性)有增强型和耗尽型两种,主要是以下三类
P沟道增强型管构成的PMOS电路
N沟道增强型管构成的NMOS电路
PMOS和NMOS构成的CMOS(互补MOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor 互补型金属氧化物半导体)电路
6.什么是OC、OD
集电极开路门(集电极开路 OC 或源极开路 OD)
open-drain是漏极开路输出的意思,相当于集电极开路(open-collector)输出,即ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线和,也有的用于电流驱动。
open-drain是对mos管而言,open-collector是对双极型管而言,在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点：
a. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。 或驱动比芯片电源电压高的负载.
b.能够将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“和逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。假如作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。假如需要速度高电阻选择要小,功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
c. 能够利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。例如加上上拉电阻就能够提供TTL/CMOS电平输出等。
d. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的。
正常的CMOS输出级是上、下两个管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线和。
由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就能够决定输出电平。这样您就能够进行任意电平的转换了。
线和功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合,假如本电路不想拉低,就输出高电平,因为OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高电平是靠外接的上拉电阻实现的。（而正常的CMOS输出级,假如出现一个输出为高另外一个为低时,等于电源短路。）
OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以假如对延时有需要,则建议用下降沿输出。
7.什么是线或逻辑和线和逻辑？
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上.
因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS), 晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 NOR 逻辑. 假如这个结点后面加一个反相器, 就是或 OR 逻辑. 假如用下拉电阻和 PNP 或 PMOS 管就能够构成和非 NAND 逻辑, 或用负逻辑关系转换和/或逻辑.
这些晶体管常常是一些逻辑电路的集电极开路 OC 或源极开路 OD 输出端. 这种逻辑通常称为线和/线或逻辑, 当您看到一些芯片的 OC 或 OD 输出端连在一起, 而有一个上拉电阻时, 这就是线或/线和了, 但有时上拉电阻做在芯片的输入端内.
顺便提示假如不是 OC 或 OD 芯片的输出端是不能够连在一起的, 总线 BUS 上的双向输出端连在一起是有管理的, 同时只能有一个作输出, 而其他是高阻态只能输入.
8.什么是推挽结构
一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现线和需要用OC(open collector)门电路 .假如输出级的有两个三极管,始终处于一个导通、一个截止的状态,也就是两个三级管推挽相连,这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem-pole）输出电路（可惜,图无法贴上）。当输出低电平时,也就是下级负载门输入低电平时,输出端的电流将是下级门灌入T4;当输出高电平时,也就是下级负载门输入高电平时,输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。这样一来,输出高低电平时,T3 一路和 T4 一路将交替工作,从而减低了功耗,提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路,管子导通电阻都很小,使RC常数很小,转变速度很快。因此,推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。供您参考。
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